2026.06.08by 명세환 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 산업용 상태 모니터링을 위한 AI 내장 진동 센서 ‘IIS3DWB10IS’를 출시했다. 이 제품은 MEMS 기반 센서에 지능형 센서 프로세싱 유닛(ISPU 2.0)을 통합해 센서 내부에서 신호 처리와 AI 추론을 수행한다. ST는 고주파 진동 측정, 고온 동작, 저전력 설계 등을 앞세워 기존 압전 센서가 사용돼 온 산업용 진동 분석 시장을 겨냥한다.
2026.06.02by 명세환 기자
마우저 일렉트로닉스가 ST마이크로일렉트로닉스의 Arm Cortex-M33 기반 메인스트림 MCU ‘STM32C5’ 시리즈를 공급한다. STM32C5는 144MHz 동작 속도와 최대 1MB 플래시, 256KB RAM을 지원하며 이더넷, octoSPI, FDCAN, 하드웨어 보안 기능을 통합했다. 스마트홈, 산업 장비, 로보틱스, 웨어러블 등 엔트리급 애플리케이션에서 성능과 연결성, 보안 요구에 대응하는 제품이다.
2026.05.27by 명세환 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 AI 서버, 로보틱스, 산업용 전원공급장치, 스마트그리드 등에 적용할 수 있는 700V급 PowerGaN 전력반도체를 출시했다. 신규 제품군은 6A~29A 전류 정격과 53mΩ~270mΩ 수준의 RDS(on)을 제공하는 7종의 GaN HEMT로 구성됐다. ST는 낮은 전도 손실과 스위칭 손실, 고주파 동작 특성을 바탕으로 고전력 시스템의 전력 밀도 향상과 전원부 소형화를 지원한다는 계획이다.
2026.05.21by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 3상 브러시리스 모터용 게이트 드라이버 IC STDRIVE102 제품군을 확대했다. 신제품은 SPI 인터페이스를 통해 게이트 전류 설정과 구성을 간소화하며, 6V~50V 공급 전압에서 동작한다. 초저 대기전류, 차지 펌프, 통합 LDO, 보호 기능을 갖춰 전동공구와 가전제품 등 배터리 기반 모터 제어 애플리케이션을 지원한다.
2026.05.14by 배종인 기자
IAR과 ST마이크로일렉트로닉스가 차세대 MCU인 STM32C5 시리즈와 신규 개발환경 ‘STM32CubeMX2’ 연동 전략을 공개했다. 양사는 최근 공동 웨비나를 통해 프로젝트 생성, 디버깅, CI/CD, 장기 유지보수까지 연결되는 통합 개발 체계를 제시했다. 이번 협업은 단순 IDE 연동을 넘어, 임베디드 개발 환경이 개별 코드 작성 중심에서 소프트웨어 수명주기 관리 중심으로 이동하고 있음을 보여주는 사례로 해석된다. 특히 산업·자동차 분야에서 요구되는 기능 안전성과 장기 유지보수 요구가 강화되면서 검증된 툴체인 확보 중요성이 커지고 있다는 분석이 나온다.
2026.05.13by 명세환 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 산업 및 자동차 상태 모니터링 시스템의 설계 부담을 낮추기 위한 3축 광대역 진동 센서 ‘IIS3DWBG1’을 출시했다. 이 제품은 3축 센싱 기능을 단일 디바이스에 통합해 부품 수와 PCB 공간을 줄이고, -40°C~125°C의 온도 범위에서 진동 모니터링을 지원한다. 모터, 기어박스뿐 아니라 전력모듈과 전기차 트랙션 인버터 등으로 진단 범위를 확대할 수 있다.
2026.05.11by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 초저전력 글로벌 셔터 이미지 센서 VD55G4와 VD65G4를 출시했다. 두 제품은 각각 흑백과 RGB 컬러 센서로, 약 800×700 해상도와 10fps 동작 조건에서 기존 글로벌 셔터 센서 대비 전력 소모를 최대 10분의 1 수준으로 낮췄다. 웨어러블, AR·VR, 스마트 가전, 의료기기 등 소형 기기에서 상시 동작 비전 기능을 구현하는 데 활용된다.
2026.04.27by 명세환 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 넓은 전압 범위와 높은 정밀도를 동시에 지원하는 듀얼 연산증폭기 ‘TSB192’를 공개했다. 이 제품은 4~36V 전압에서 동작하며, 낮은 오프셋 전압과 온도 드리프트 특성을 갖춰 다양한 환경에서도 안정적인 신호 처리를 지원한다. 산업·자동차·헬스케어 등 여러 분야의 측정 및 신호 컨디셔닝 회로에 활용될 수 있으며, 저전력 설계를 통해 배터리 기반 장비에도 적합한 것이 특징이다.
2026.04.14by 배종인 기자
ST마이크로일렉트로닉스가 모션 제어와 전력 스테이지를 겨냥한 고속 하프브리지 GaN 게이트 드라이버 2종을 공개했다. 새 제품은 220V용 STDRIVEG212와 600V용 STDRIVEG612로, 5V 게이트 구동과 보호 기능, 부트스트랩, LDO를 한 패키지에 묶은 것이 특징이다. 과전류 감지 시 두 스위치를 차단하는 기능과 자동 복귀를 늦추는 Smart Shutdown도 넣었다. ST는 두 제품을 현재 생산 중이며, 평가보드와 함께 공급하고 있다고 밝혔다.
2026.04.10by 배종인 기자
자동차 산업이 SDV 중심으로 빠르게 재편되면서 차량용 반도체의 역할이 근본적으로 변화하고 있는 가운데, ST의 xMemory를 탑재한 Stellar MCU는 확장 가능한 메모리로 SDV 개발의 병목을 해소하며, 차량용 반도체를 미래 기능과 경쟁력을 좌우하는 핵심 플랫폼으로 급부상하고 있다.
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