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열 관리

헨켈, “접착제 넘어 첨단 전자소재로 반도체 혁신 뒷받침”

2026.06.16by 배종인 기자

글로벌 접착 기술 기업 헨켈이 한국을 핵심 거점으로 삼아 반도체를 비롯한 전자재료 사업 확대에 속도를 내고 있다. 산업용 접착제로 잘 알려진 헨켈은 이제 스마트폰, 자동차, 의료기기, 반도체 패키징, 고성능 컴퓨팅 등 첨단 산업 전반에서 소재 기술을 공급하며 전자 산업의 숨은 기반을 담당하고 있다.
온세미, GaN 전력 제품군 ‘GaNEXUS’ 출시…AI 데이터센터 전력 효율 겨냥

2026.06.11by 명세환 기자

온세미가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 제품군 ‘GaNEXUS’를 출시하고 AI 데이터센터와 산업 자동화 시장 공략을 강화한다. 새 제품군은 40V~650V 전압 범위의 GaN FET와 스마트 650V GaN FET로 구성되며, 빠른 스위칭 속도와 낮은 손실, 높은 전력 밀도, 열 성능 개선을 목표로 한다. 온세미는 트레오 플랫폼과의 연계를 통해 센싱·제어·보호·전력 관리를 통합한 시스템 수준 전력 솔루션을 제공할 계획이다.
GaN 전력반도체, 고효율 전력 시스템 핵심 기술 부상

2026.05.27by 배종인 기자

전력반도체 시장에서 질화갈륨(GaN) 기술이 고효율·고속 스위칭 특성을 기반으로 다양한 산업으로 확산되고 있다. 디지털 전력 시스템과 AI 인프라 확대로 전력 효율 개선 요구가 커지는 가운데, 회로 설계 환경에서는 GaN 소자의 구조와 활용 방식에 대한 비교 분석도 이어지고 있다.
로옴 SiC MOSFET, AI 서버 HVDC 전원용 BBU에 적용

2026.05.21by 명세환 기자

로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여야 하는 BBU에 SiC 전력반도체가 적용된 사례다. 로옴은 SiC, GaN, 실리콘 기반 파워 디바이스와 아날로그 IC를 결합한 전원 솔루션을 통해 AI 서버 및 데이터센터 시장 대응을 강화할 계획이다.
“전력반도체, 수명 계산하며 끝까지 검증해야 하는 시스템 핵심 요소”…개발자가 꼭 알아야 할 핵심 포인트

2026.04.13by 배종인 기자

전력반도체가 전기차, AI 데이터센터, 재생에너지 장비처럼 전기를 많이 쓰는 제품의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로 주목 받으며, 전력반도체를 이용하는 개발자들이 전력반도체 수명 예측과 이를 검증할 수 있는 기술에 대한 요구가 증가하고 있다. 이에 개발자가 꼭 알아야 할 핵심 포인트를 짚어봤다.
실리콘 한계 넘는 WBG 반도체, 전력 시장 판 바꾼다

2026.04.10by 배종인 기자

인공지능(AI) 데이터센터의 전력 수요가 급증하고, 전기차와 재생에너지 설비가 전 산업으로 확산되면서 전력 반도체 시장의 중심축이 SiC, GaN 등의 와이드밴드갭(WBG) 반도체로 옮겨가고 있다. 와이드밴드갭 전력반도체 시장에서는 TI, 인피니언, ST, 온세미, 울프스피드, 로옴 등 핵심 플레이어로 시장을 이끌고 있으며, 기술 개발 및 생산 확대에 힘쓰고 있다. 이에 와이드밴드갭 반도체 시장을 짚어봤다.
온세미 전력 모듈, 시능전기 차세대 ESS·태양광 인버터에 적용

2026.04.01by 배종인 기자

온세미가 4월 1일 자사 하이브리드 전력 통합 모듈(PIM)이 시능전기의 차세대 430kW 액체 냉각 ESS와 320kW 태양광 인버터에 적용된다고 밝혔다. 해당 모듈은 IGBT와 실리콘 카바이드 다이오드를 결합한 구조로, 전력 손실과 스위칭 손실을 줄이고 열 관리 성능을 높이는 데 초점이 맞춰졌다. 양사는 이를 통해 ESS의 왕복 효율 향상, 보조 전력 소비 감소, 전력 밀도 개선 등 시스템 차원의 성능 향상을 기대하고 있다.
고효율·고전력 밀도 시대, 통신·서버 SMPS의 핵심은 ‘전력 반도체’

2026.03.24by 배종인 기자

통신·서버용 스위칭 모드 전원공급장치(SMPS)는 고효율과 고전력 밀도가 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있다. 이를 위해 48V 전원 환경에 적합한 60V급 파워 MOSFET이 필수 반도체로 주목받는다. Infineon의 OptiMOS™ 6 60 V는 이전 세대 대비 최대 40% 낮은 온저항과 개선된 스위칭 특성을 통해 전도·스위칭 손실을 동시에 줄였다. 소프트 스위칭 환경에서는 낮은 게이트 전압에서도 높은 효율을 구현하며, 하드 스위칭에서는 RC 스너버 설계를 통해 전압 오버슈트와 EMI를 효과적으로 억제할 수 있다. 이러한 전력 반도체와 설계 기법의 결합은 서버와 통신 인프라의 효율 향상과 소형화를 가속화하고 있다.
재료연, 첨단 반도체 패키징 소재 혁신 포럼 개최…기술 자립 논의

2026.03.16by 명세환 기자

한국재료연구원이 첨단 반도체 패키징 소재 기술 동향과 산업 발전 방향을 논의하는 포럼을 열었다. 행사에서는 SiC 전력반도체 소재, 이종집적 플랫폼, 첨단 패키징 배선 소재 등 다양한 기술 주제가 발표됐다. 전문가들은 반도체 산업 경쟁력 강화를 위해 소재 기술 확보와 산·학·연 협력 확대가 필요하다는 의견을 공유했다. 연구원은 이번 포럼을 계기로 패키징 소재 분야 연구개발과 산업 협력 네트워크 구축을 강화할 계획이라고 밝혔다.

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