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KAIST 연구팀, 無전원 IoT 게이트웨이 개발에 성공

2020.07.13by 이수민 기자

KAIST 연구팀이 후방산란 기술을 이용한 무전원 IoT 게이트웨이 개발에 성공했다고 밝혔다. 후방산란 기술은 기기의 무선 신호를 직접 만들지 않고 공중에 존재하는 방사된 신호를 반사하여 정보를 전달하는 기술로, 무선 신호를 생성하는데 전력을 소모하지 않는다.
TI, 제로-드리프트 홀-효과 전류 센서 2종 최초 출시

2020.07.10by 강정규 기자

TI가 제로-드리프트 홀-효과 전류 센서인 TMCS1100, TMCS1101을 출시했다. 새로운 두 센서는 제로-드리프트 아키텍처와 실시간 감도 조절 기능을 기반으로 시간의 경과와 온도 변화에도 최소 드리프트, 최고 정확도, 3-kVrms 절연 기능을 제공한다.
"차량용 전원 설계, MOSFET 이해부터 시작"

2020.07.13by 이수민 기자

차량의 전기화는 구동부만 겪고 있는 일이 아니다. 자율주행, 인포테인먼트 등의 발전으로 차량 내 전력 반도체 탑재 비율은 꾸준히 증가하고 있다. 개발자는 이제 자동차 및 전장품의 성능 저하, 가격 상승, 설계 오류 등을 피하기 위해 AEC-Q101을 이해하고 전력 소자의 데이터 시트를 볼 줄 아는 능력을 키워야 한다.
바이코, GSA 가입 "차량용 전력 모듈 개발에 집중한다"

2020.07.03by 이수민 기자

바이코가 세계 반도체 연맹(GSA)의 회원이 됐다. GSA는 반도체, 소프트웨어, 솔루션, 시스템 및 서비스를 포괄하는, 효율적이며 수익성 있고 지속 가능한 반도체 및 첨단 기술의 글로벌 생태계 구축을 위한 연맹이다. 바이코는 GSA 오토모티브 관심 그룹에 참여하여 부상하는 차량 전기화 분야에서 필요한 작고 가볍고 통합적인 전력 모듈 개발에 노력할 방침이다.
슈나이더 일렉트릭, 이중 전력 접촉기 방식 CTTS 출시

2020.07.03by 이수민 기자

슈나이더 일렉트릭은 자회사인 아스코가 세계 최초로 이중 전력 접촉기 방식의 무정전 절체 스위치(CTTS)인 5000A를 출시했다고 밝혔다. CTTS는 특정한 이유로 한전에서 공급하는 전력이 끊겨 비상 전원에서 전력을 공급하는 과정에서 사용자가 정전을 경험하지 않고 전기를 공급받을 수 있게 하는 장치다.
TI, 전원 어댑터 간소화하는 배터리 충전기 IC 2종 선봬

2020.07.02by 이수민 기자

텍사스 인스트루먼트의 BQ25790과 BQ25792 벅-부스트 배터리 충전기 IC는 USB 타입-C와 USB PD 애플리케이션의 전체 입력전압 범위(3.6V~24V)에 걸쳐 최대 5A의 충전 전류를 제공한다. 1~4개의 전지가 직렬 연결된 배터리를 충전할 수 있으며, 30W에서 97% 효율의 충전을 지원한다.
무라타제작소, 정전용량 1.0μF 세라믹 커패시터 개발

2020.06.30by 강정규 기자

무라타제작소가 정전용량이 1.0μF인 적층 세라믹 커패시터를 개발했다. 크기는 스마트폰을 비롯한 다양한 모바일 전자기기에 많이 사용되는 0.4×0.2mm다. 같은 정전용량을 가진 기존 무라타제작소 제품 대비 크기와 용적률이 각각 35%, 50% 줄었으며, 같은 크기의 기존 제품 대비 정전용량이 약 2.1배 높다.
바이코, 작동 온도 범위 넓힌 벅 레귤레이터 2종 공개

2020.06.30by 강정규 기자

바이코가 2종의 ZVS 벅 레귤레이터를 출시했다. PI3323 및 PI3325 ZVS 벅 레귤레이터는 작동 온도 범위가 -55~120°C로 확장되었으며, 주석-납 10×14mm SiP BGA 패키지로 Mil COTS에 적용할 수 있다.
도시바, 2.2V 구동 '고속 통신 포토커플러' 2종 출시

2020.06.30by 이수민 기자

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션이 2.2V 상당의 낮은 전원 장치와 병행 운용할 수 있는 고속 통신용 포토커플러인 TLP2312, TLP2372를 발표했다. 데이터 전송 속도는 각각 5Mbps와 20Mbps로, 29일부터 출하를 시작했다.
"고효율 인버터에는 IGBT 대신 SiC MOSFET 채택해야"

2020.06.29by 이수민 기자

전력 소비가 늘어나며 안전하고 효율적인 소형 인버터 수요가 증가하고 있다. 이에 따라 인버터 개발자는 손실이 적고 전류 밀도는 높은 전력 디바이스를 검토하게 됐다. SiC MOSFET은 현재 널리 쓰이는 Si 기반 MOSFET이나 IGBT보다 강건하여 높은 전압 및 온도 환경에서도 정상적으로 동작할 수 있다.

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