2026.04.14by 명세환 기자
한국전자통신연구원(ETRI)이 디스플레이용 산화물 반도체를 활용해 캐패시터 없이 데이터를 저장하는 2T0C D램 구조를 구현했다. 연구진은 Al:ITZO 박막트랜지스터와 N2O 플라즈마 공정, 채널 비율 최적화를 통해 누설 전류를 낮추고 저장 전하 손실을 줄였다. 그 결과 데이터 유지 시간은 1,000초 이상, 메모리 윈도우는 약 13배 향상됐다. 캐패시터 형성이 점점 어려워지는 기존 D램의 미세화 한계에 대응할 수 있는 구조적 대안이라는 점에서 의미가 있다.
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