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인피니언(4월23일시작)

전력 반도체

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온세미·지리자동차, 전기차 협력 확대…900V 아키텍처 기반 성능 개선 추진

2026.04.30by 명세환 기자

온세미와 지리자동차가 전기차 및 하이브리드 차량 개발을 위한 협력을 확대한다. 온세미의 실리콘 카바이드(SiC) 기반 전력 기술을 지리자동차의 SEA-S 플랫폼에 통합해 고전압 900V 아키텍처를 적용하는 것이 핵심이다. 이를 통해 충전 시간 단축, 주행거리 증가, 전력 효율 향상 등 차량 성능 개선을 추진한다. 양사는 초기 설계 단계부터 협력을 강화해 시스템 수준 개발을 가속화할 계획이다.
로옴, 제5세대 SiC MOSFET 개발

2026.04.30by 배종인 기자

로옴이 고온 동작 조건에서 ON 저항을 낮춘 제5세대 실리콘카바이드(SiC) MOSFET를 개발했다고 밝혔다. 회사는 기존 세대 대비 손실을 줄여 차량용 전동 파워트레인과 산업용 전원 장치 적용을 목표로 한다고 설명했다.
“GaN, 에피웨이퍼 품질 개선될수록 시장 확대”

2026.04.28by 배종인 기자

노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)은 스마트폰·노트북 고속 충전기, 서버용 전원공급장치, AI 데이터센터 전력 시스템 등에서 빠르게 확산되고 있다.
온세미·니오 협력 확대…900V 전기차 플랫폼 전환 속도 높인다

2026.04.28by 배종인 기자

온세미와 니오가 차세대 전기차 플랫폼 개발을 위한 협력을 확대했다. 양사는 실리콘 카바이드 기반 전력 반도체 기술을 활용해 기존 400V에서 900V 아키텍처로의 전환을 추진하고 있다. 해당 기술은 에너지 손실을 줄이고 전력 효율을 높여 주행거리와 충전 속도 개선에 기여할 것으로 예상된다. 이미 일부 플래그십 모델에 적용됐으며, 향후 공개될 신차에도 확대 적용될 예정이다. 이번 협력은 자동차 산업에서 고전압 전기차 플랫폼 전환과 반도체 기업 간 협업 강화 흐름을 반영한 사례로 평가된다.
마우저, 전동화 기술 해법 제시

2026.04.03by 배종인 기자

전기차와 스마트 모빌리티 산업이 빠르게 진화하는 가운데, 글로벌 전자부품 유통기업 마우저 일렉트로닉스가 오는 4월8일 서울 코엑스 컨퍼런스룸에서 ‘마우저 E-모빌리티 세미나 2026’을 개최하고, 전기 모빌리티 구현을 위한 핵심 기술과 실제 적용 사례를 공유할 예정이다.
마우저, ST 반도체 솔루션 국내 공급 확대

2026.03.24by 배종인 기자

글로벌 전자부품 유통기업 마우저 일렉트로닉스가 세계적인 반도체 제조사 ST마이크로일렉트로닉스의 폭넓은 제품군을 국내 시장에 안정적으로 공급하며 전자 설계 환경 강화에 나섰다.
고효율·고전력 밀도 시대, 통신·서버 SMPS의 핵심은 ‘전력 반도체’

2026.03.24by 배종인 기자

통신·서버용 스위칭 모드 전원공급장치(SMPS)는 고효율과 고전력 밀도가 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있다. 이를 위해 48V 전원 환경에 적합한 60V급 파워 MOSFET이 필수 반도체로 주목받는다. Infineon의 OptiMOS™ 6 60 V는 이전 세대 대비 최대 40% 낮은 온저항과 개선된 스위칭 특성을 통해 전도·스위칭 손실을 동시에 줄였다. 소프트 스위칭 환경에서는 낮은 게이트 전압에서도 높은 효율을 구현하며, 하드 스위칭에서는 RC 스너버 설계를 통해 전압 오버슈트와 EMI를 효과적으로 억제할 수 있다. 이러한 전력 반도체와 설계 기법의 결합은 서버와 통신 인프라의 효율 향상과 소형화를 가속화하고 있다.
ST, GaN 전력 IC ‘MasterGaN6’ 출시…충전기·조명·태양광 겨냥

2026.03.18by 배종인 기자

ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표시를 위한 전용 핀, 보호 기능, 외부 부품 절감 설계를 바탕으로 충전기·어댑터, 산업용 조명 전원공급장치, 태양광 마이크로 인버터 등에서 활용할 수 있도록 설계됐다. ST는 평가 보드와 설계 지원 도구도 함께 제공해 제품 검토와 개발 편의성을 높인다는 계획이다.
[Special Report] 로봇 설계 ‘물리적 SOC’ 한계 넘다: 다보 조용규 전무가 밝히는 인피니언의 로보틱스 시스템 철학

2026.03.12by 명세환 기자

다보(DABO)의 조용규 전무는 인피니언 테크놀로지스와 함께하는 로보틱스 웨비나를 통해, 개별 부품이 아닌 시스템 관점의 설계 철학을 강조했습니다. 조 전무는 "휴머노이드는 수십 개의 관절 모터를 동시에 제어해야 하므로 시스템 레벨의 접근이 필수적"이라고 진단했습니다.핵심 솔루션인 P4C3 MCU는 초소형 사이즈로 각 관절에 탑재되어 고속 연산과 정밀 제어를 수행하며 , 차세대 전력 반도체인 CoolGaN™은 기존 실리콘 MOSFET 대비 손실을 최대 60%까지 낮춥니다. 이를 통해 모터 드라이버 크기를 40% 축소하고 방열판을 제거하여 로봇의 무게와 부피를 획기적으로 줄일 수 있습니다.조 전무는 인피니언의 SOC(System on Chip) 개념을 "단일 칩이 아닌, 최적의 반도체군을 유기적으로 엮어낸 설..
인피니언, GaN 시장 2030년 30억 달러 전망…AI·로보틱스 적용 확대

2026.02.12by 명세환 기자

인피니언 테크놀로지스가 연례 보고서 ‘GaN 인사이트 2026’을 통해 GaN(갈륨 나이트라이드) 전력 반도체 시장이 2030년 약 30억 달러 규모로 성장할 수 있다고 제시했다. 보고서는 2026년 시장 규모를 9억2000만 달러로 추산하며, 2025년(5억8400만 달러) 대비 58% 성장할 것으로 전망했다. 인피니언은 고전압 GaN 양방향 스위치(BDS)에 더블 게이트 구조의 공통 드레인 설계를 적용해, 기존 백투백 구성 대비 다이 크기 축소가 가능하다고 설명했다. 또한 GaN 적용 분야가 AI 데이터센터, 로보틱스, 전기차, 신재생에너지와 디지털 헬스·양자컴퓨팅 등으로 확장되고 있다고 밝혔다.

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