2026.05.21by 명세환 기자
로옴의 750V 내압 SiC MOSFET이 AI 서버 전원용 배터리 백업 유닛(BBU)에 채용됐다. 생성형 AI 확산으로 서버 전력 수요가 커지면서 데이터센터 전원 구조는 고전압 직류 기반으로 이동하고 있다. 이번 채택은 고전압·고전력 환경에서 전력 손실과 발열을 줄여야 하는 BBU에 SiC 전력반도체가 적용된 사례다. 로옴은 SiC, GaN, 실리콘 기반 파워 디바이스와 아날로그 IC를 결합한 전원 솔루션을 통해 AI 서버 및 데이터센터 시장 대응을 강화할 계획이다.
2026.04.30by 배종인 기자
로옴이 고온 동작 조건에서 ON 저항을 낮춘 제5세대 실리콘카바이드(SiC) MOSFET를 개발했다고 밝혔다. 회사는 기존 세대 대비 손실을 줄여 차량용 전동 파워트레인과 산업용 전원 장치 적용을 목표로 한다고 설명했다.
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