2026.05.26by 배종인 기자
SK하이닉스가 HBM 패키지 내부에 냉각 요소를 삽입한 ‘iHBM’ 기술을 공개했다. 이 기술은 발열이 집중되는 D2D PHY 구간에 별도 열 방출 경로를 형성해 열저항을 기존 대비 30% 이상 낮추는 방식이다. 회사는 검증된 MR-MUF 기반 공정을 활용해 양산성과 고객 설계 호환성을 함께 확보했다고 설명했다. AI 반도체용 메모리의 적층 확대와 고속화가 이어지는 가운데, HBM 경쟁은 대역폭뿐 아니라 발열 제어와 패키징 구조로 확장되고 있다.
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