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인텔 파운드리, 18A-P 공정 시험 생산 진입

2026.06.17by 배종인 기자

인텔 파운드리가 2026 VLSI 심포지엄에서 18A 대비 동일 전력에서 성능 9% 향상, 동일 성능에서 전력 18% 절감을 구현한 18A-P 공정의 시험 생산 진입을 발표했다. 듀얼 콘택트 트랜지스터 '파워 부스트'와 다섯 번째 로직 Vt 추가 등으로 성능을 끌어올렸으며 18A와 설계 규칙이 완전 호환된다. 인텔은 GAA와 후면 전력 공급 기술의 정량화 결과, 모놀리식 CFET 인버터, GaN·실리콘 로직의 300mm 웨이퍼 통합, 루테늄 배선 등 중장기 연구 성과도 함께 공개했다.
온세미, GaN 전력 제품군 'GaNEXUS' 출시

2026.06.11by 배종인 기자

온세미가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 반도체 제품군 'GaNEXUS'를 출시하고 40V~650V FET와 스마트 650V GaN FET의 초기 샘플 공급을 시작했다. AI 데이터센터 전원, 48V 시스템, 로보틱스, 산업 자동화 등 고전력 애플리케이션을 겨냥하며, 실리콘 대비 빠른 스위칭과 낮은 손실, 높은 전력 밀도로 자기 부품·냉각 크기를 줄여 시스템 효율을 높이고 비용을 절감한다. 센싱·제어를 통합한 트레오 플랫폼과 결합해 시스템 수준의 전력 솔루션을 구현한다.
코보, IMS2026서 RF 솔루션 라이브 데모 공개

2026.06.02by 배종인 기자

커넥티비티 및 전력 솔루션 기업 코보(Qorvo)가 미국 보스턴에서 열리는 IMS2026에 참가해 RF 솔루션을 공개한다. 코보는 위성통신, 5G, IoT, 방위, 무선 인프라 분야를 대상으로 라이브 데모와 반도체 파운드리 서비스를 소개할 예정이다.
프라딥 셰노이(Pradeep Shenoy) TI 컴퓨팅 파워 기술 책임자, “‘800V·GaN·SST’ 랙당 1MW 시대 전력 인프라 가능케 한다”

2026.05.29by 배종인 기자

데이터센터 전력 수요가 AI 확산으로 폭증하며 기존 48V 아키텍처가 한계에 도달했고, 800V DC 기반 구조로의 전환이 요구되고 있다. 800V DC 전환을 위해서는 PSU·IBC·BBU 등 전력 체계 전반의 재설계가 요구되며, GaN·SST 같은 와이드밴드갭 기반 기술이 고효율·고밀도·고신뢰성을 실현하는 핵심으로 부상하고 있다. 특히 랙당 1MW 시대에는 전력·냉각·안전 요구가 급격히 높아지며, 시스템 전체를 하나의 전력 체인으로 보고 설계하는 접근이 필요할 것으로 이야기 되고 있다. 이에 데이터 센터 전력 제품의 전문가인 프라딥 셰노이(Pradeep Shenoy) 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 컴퓨팅 파워 기술 책임자와 만나 데이터센터 전력을 위한 제품 개발 및 관련 솔..
인피니언, 엔비디아 MGX AI 팩토리 생태계 합류…AI 데이터센터 전력 아키텍처 협력

2026.05.29by 배종인 기자

인피니언 테크놀로지스가 엔비디아의 MGX AI 팩토리 생태계에 참여하며 차세대 AI 데이터센터 전력 구조 대응에 나섰다. 양사는 800VDC 기반 전력 아키텍처를 중심으로 고성능·고밀도 인프라 확보를 위한 협력에 나선다는 방침이다.
GaN 전력반도체, 고효율 전력 시스템 핵심 기술 부상

2026.05.27by 배종인 기자

전력반도체 시장에서 질화갈륨(GaN) 기술이 고효율·고속 스위칭 특성을 기반으로 다양한 산업으로 확산되고 있다. 디지털 전력 시스템과 AI 인프라 확대로 전력 효율 개선 요구가 커지는 가운데, 회로 설계 환경에서는 GaN 소자의 구조와 활용 방식에 대한 비교 분석도 이어지고 있다.
“스마트 가전 혁신, AI·매터·GaN·IoT 기술로 구현”

2026.05.20by 배종인 기자

인피니언(Infineon Technologies)이 최근 발간한 백서 ‘Engineering modern intelligent home appliances’는 스마트 주방과 지능형 가전이 소비자의 편의성 요구뿐 아니라 지속가능성, 낮은 전력소모, 긴 제품 수명이라는 과제를 동시에 해결해야 한다고 짚는다. 특히 차세대 가전의 핵심 기술로 매터(Matter) 기반 연결성, WBG 전력반도체(실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)), 고도화된 센서 솔루션이 부상하고 있다.
ST, 100W급 GaN 컨버터 ‘VIPerGaN’ 2종 출시

2026.05.18by 배종인 기자

ST마이크로일렉트로닉스가 에너지 효율형 가전 및 전자기기를 대상으로 한 100W급 고전압 컨버터 ‘VIPerGaN100W’와 ‘VIPerGaN100WB’를 출시하며, 질화갈륨(GaN) 기반 전력 변환 솔루션을 통해 컨슈머 전자제품의 효율 개선에 나선다. 전력 스위치와 제어 기능을 통합한 설계를 적용해 소형화와 에너지 절감을 동시에 겨냥했다.
“GaN, 에피웨이퍼 품질 개선될수록 시장 확대”

2026.04.28by 배종인 기자

노영균 아이브이웍스 대표이사는 지난 24일 서울 FKI타워 컨퍼런스센터에서 열린 ‘고기능성 반도체 소재 기술세미나’에서 GaN 에피웨이퍼 기술 흐름과 함께 향후 반도체 시장의 변화를 전망했다. 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)은 스마트폰·노트북 고속 충전기, 서버용 전원공급장치, AI 데이터센터 전력 시스템 등에서 빠르게 확산되고 있다.
“초저전력 전력반도체 SiC·GaN 주도”

2026.04.23by 배종인 기자

전력 공급 능력이 AI 혁신의 속도와 성패를 가늠하는 핵심 요소로 부상하고 있는 가운데 이론적 한계에 부딪힌 실리콘을 대신해 새로운 전력 반도체 소재로 급부상하고 있는 SiC, GaN이 주도하는 반도체 시장에 대해 살펴봤다.

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