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[2025 e4ds Tech Day]“GaN 반도체 후발주자지만 기술적 한계 극복하며 빠르게 발전”

2025.09.30by 배종인 기자

한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. 이형석 연구원은 “GaN은 후발주자지만 기술적 한계를 극복하며 빠르게 발전하고 있다”며 “리모트 에피 등 차세대 기술을 통해 전력 반도체의 새로운 지평을 열 수 있을 것”이라고 전망했다.
[2025 e4ds Tech Day]“전력 반도체 미래 ‘GaN’, 48V 전원계 차량 충분히 상용화”

2025.09.29by 배종인 기자

텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, 고효율 전원장치 등 차세대 산업의 핵심은 전력 반도체라고 강조했다. 김승목 차장은 먼저 전력 반도체의 진화를 짚으며, “20년 전까지만 해도 IGBT가 주류였지만, SiC가 등장하면서 1,200V 이상 고전압 시스템에 적용되기 시작했다. 그러나 스위칭 주파수 측면에서는 한계가 있었다. 반면에 GaN은 600∼650V급 전압에서 12㎒까지 스위칭이 가능해 전력 밀도를 획기적으로 높일 수 있다”고 언급했다.
[2025 e4ds Tech Day]TI 김승목 차장-“GaN 차량용 전력 시스템 새로운 가능성 연다”

2025.08.28by 명세환 기자

차량용 전력 시스템이 빠르게 진화하면서 저전압에서 실리콘(Si) 반도체와 고전압 영역에서 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 반도체가 활용되던 지금까지의 추세에서 벗어나 새롭게 GaN(Gallium Nitride) 솔루션이 차세대 차량용 전력반도체로 주목받고 있다. GaN은 200∼500V 전원계에서 최적의 효율을 제공하며, 50W부터 25kW까지 폭넓은 전력 스케일링을 가능하게 해 전력밀도와 함께 시스템 소형화를 동시에 실현할 수 있다. 최근에는 200V 이하의 저전압 시스템에서도 GaN 적용이 확대되고 있어 설계 요구에 따라 최적의 디바이스 선택이 가능해졌다. 이런 가운데 차량용 GaN 전력반도체와 관련해 텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments)가 오는 9월9일 ‘2025 e4ds Tech Da..
인피니언, 300㎜ 웨이퍼 기반 GaN 생산 가속화 전력 반도체 시장 선도…2025년 4분기 첫 샘플 공급

2025.07.03by 배종인 기자

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 300㎜ 웨이퍼 기반 갈륨 나이트라이드(GaN) 전력 반도체 생산을 본격 가동하며 올해 4분기에 고객들에게 첫 샘플을 제공할 예정이다. 인피니언은 이번 300mm GaN 생산 가속화로 기술 혁신과 시장 선도에 적극 나서겠다는 방침이다.
파워레일 무결성, 이제는 ‘설계자 몫’… 키사이트 “측정도 진화해야 한다”

2025.06.09by 명세환 기자

키사이트테크놀로지스는 전압 마진이 좁아지고 WBG 소자의 고속 스위칭 특성이 강조되며, 정밀한 파워레일 및 전류 측정의 중요성이 커졌다고 밝혔다. 이호중 대리는 “이제는 파워 측정도 고해상도·저노이즈가 필수”라며, 전용 파워레일 프로브와 분석 소프트웨어의 필요성을 강조했다.
WBG 반도체 시대, 전력 소자 테스트도 ‘다이나믹’으로 진화

2025.06.09by 명세환 기자

SiC·GaN 기반 WBG 반도체의 도입으로 기존 정적 테스트는 한계에 직면했다. NI는 실제 주행 조건을 모사하는 ‘다이나믹 HTFB’ 테스트 시스템을 세계 최초로 상용화해, 테스트 시간은 줄이고 신뢰성은 높였다. 전기차 시대에 맞는 새로운 테스트 기준이 필요한 지금, NI의 솔루션이 주목받고 있다.
실리콘의 한계를 넘다, CoolGaN™이 이끄는 고효율 전력 설계 혁신

2025.05.29by 명세환 기자

실리콘 기반 전력 반도체의 물리적 한계가 도래한 지금, 산업계는 더 빠르고 작으며 효율적인 대안을 모색하고 있다. 인피니언의 CoolGaN™ 기술은 이러한 요구에 대응하는 핵심 솔루션으로, 다보코퍼레이션 조용규 전무는 “이제는 실리콘을 넘어서는 시점”이라며 설계 전략과 실제 적용 노하우를 전한다.
ST, 컨슈머·산업 전력 변환·모션 제어 최적화

2025.05.19by 배종인 기자

세계적인 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최신 STDRIVEG610과 STDRIVEG611 고전압 GaN(Gallium Nitride) 하프 브리지 드라이버를 출시하며, 컨슈머 및 산업 애플리케이션의 전력 변환 및 모션 제어를 최적화 했다.
글로벌 에너지 규제 시대, HVAC 효율의 해답 ‘인피니언 iMOTION™’

2025.05.09by 명세환 기자

전 세계적인 에너지 절감 압력이 커지는 가운데, 가장 주목받는 산업 분야 중 하나가 바로 HVAC(냉난방) 시스템이다. 전 세계적으로 냉난방 시스템이 가정 내 소비 전력의 큰 부분을 차지하면서, 이제는 효율성과 친환경성이 HVAC 분야의 핵심 이슈로 떠올랐다. 그렇다면 현재 HVAC 시장에서 가장 큰 기술적 도전 과제는 무엇일까?
TI, 우주 등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

2025.02.25by 명세환 기자

텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성을 향상시킨다.

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