2026.06.18by 배종인 기자
SK하이닉스가 차세대 AI용 고성능 D램 HBM4E의 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다. 신제품은 핀당 최대 16Gbps 속도와 20% 이상 향상된 에너지 효율을 구현했으며, 어드밴스드 MR-MUF 공정으로 12단 적층 기준 48GB 용량을 확보하는 동시에 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서의 동작 안정성을 높였다. 회사는 핵심 고객사와 긴밀히 협업해 적기 양산을 추진하고, 풀 스택 AI 메모리 기업으로서 기술 리더십을 강화한다.
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