• 성윤모 장관, “반도체 인력 2년간 4,800명 배출”

    2021.04.16by 배종인 기자

    성윤모 산업통상자원부 장관이 서울대학교 반도체공동연구소를 방문하여 반도체 인력양성에 대한 현황을 점검하고, 반도체 산업의 만성적인 인력난 해소를 위한 해결방안을 논의했다.

  • 블루투스 장치, '20년 40억 → '25년 64억 대 출하 전망

    2021.04.15by 이수민 기자

    재택 근무 및 원격 의료 확산, LE 오디오 규격 완성, 커넥티드 조명 활성화에 따라 이어버드, 웨어러블, 센서, 스마트 조명 등을 포함한 블루투스 주변 장치 시장이 급성장하고 있다. 블루투스 SIG는 2025년 블루투스 전체 장치 연간 출하량이 2020년 40억 대보다 60% 증가한 64억 대에 이를 것으로 전망했다.

  • e4ds, 2021년 반도체 전망·차세대 기술 조망

    2021.04.15by 배종인 기자

    e4ds news가 오는 4월28일 오전 9시30분부터 온라인으로 ‘e4ds 반도체 기술 컨퍼런스 2021 spring’을 개최한다. 컨퍼런스는 2021년 반도체 시장을 전망하고, 차세대 반도체 개발 현황을 조망한다.e4ds news가 오는 4월28일 오전 9시30분부터 온라인으로 ‘e4ds 반도체 기술 컨퍼런스 2021 spring’을 개최한다. 컨퍼런스는 2021년 반도체 시장을 전망하고, 차세대 반도체 개발 현황을 조망한다.

  • 마이크로칩, USB PD 시스템 '개발 가속' 무료 SW 배포

    2021.04.15by 이수민 기자

    마이크로칩이 USB-C 파워 딜리버리(PD) 시스템의 IP 수정과 소유를 지원하는 파워 딜리버리 소프트웨어 프레임워크(PSF)를 출시했다. PSF를 통해 개발자는 고유 코드를 마이크로칩 PD 스택과 결합하여 차별화된 제품 개발을 위한 유연성을 확보할 수 있으며, 다양한 마이크로칩 스마트허브, MCU, USB 시스템용 독립형 PD 솔루션을 선택할 수 있다.

  • SK하이닉스, 128단 4D 데이터센터용 SSD 양산

    2021.04.15by 배종인 기자

    SK하이닉스가 고성능과 저전력 경쟁력을 확보한 기업용 SSD 신제품의 양산을 시작하며, 기업용 SSD 제품 중 SATA 및 PCIe 폼펙터를 모두 갖췄다. 지난 3월 말 제품에 대한 내부 인증을 완료했고, 5월 중 주요 고객에 제공할 예정이다.

  • [파워특집II] GAN 디바이스 병렬 사용을 위한 PCB 레이아웃 및 EV보드 스터디!

    2021.04.15by 배종인 기자

    GaN 전력 트랜지스터를 사용하기 위해서는 게이트 구동이 다르다는 점을 유의해야 한다. 또한 병렬 구성으로 사용하는 것은 비교적 간단하나, 설계 시에 정적 조건으로 디바이스들 간의 전류 밸런싱과 PCB 레이아웃에 주의를 기울여야 한다.

  • 엔비디아, Arm 코어 기반 데이터 센터용 CPU 만든다

    2021.04.14by 이수민 기자

    엔비디아가 GPU, DPU에 이어 CPU 시장에 진출한다. 젠슨 황 CEO는 GTC 2021 기조연설에서 데이터 센터용 프로세서, 코드명 '그레이스' CPU를 공개했다. 이번 서버용 CPU 사업 추진 소식에 엔비디아 주가는 상승했고, 인텔 및 AMD 주가는 하락했다.

  • 3월 ICT수출 174억불…10개월 연속 수출 증가

    2021.04.14by 배종인 기자

    2021년 3월 정보통신기술(ICT) 수출이 반도체, 디스플레이 등 수출증가에 힘입어 10개월 연속 수출 증가를 기록했다. ICT 수출은 174억1,000만달러로 전년동월대비 8.9% 증가했고, 수입은 109억3,000만달러로 전년동월대비 15.7% 증가했다. 무역수지는 64억9,000만달러 흑자를 기록했다.

  • ST, 200W 전력변환 지원 'MasterGaN4' 디바이스 출시

    2021.04.14by 이수민 기자

    ST마이크로일렉트로닉스가 최대 200W의 전력변환 애플리케이션 설계를 간소화하는 새로운 MasterGaN4 디바이스를 출시했다. 신규 전력 패키지는 225mΩ RDS(on)을 제공하는 2개의 대칭형 650V GaN 전력 트랜지스터와 최적화된 게이트 드라이버, 회로 보호 기능을 통합했다.

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