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2025.10.20by 배종인 기자
수십 KB∼수 MB 수준의 메모리와 ㎽ 단위의 전력으로 AI 모델을 실행할 수 있는 초소형 머신러닝 기술인 ‘타이니ML(TinyML)’을 통한 MCU 환경에서의 온디바이스 AI 개발이 주목을 받고 있다. MDS Tech 박태준 대리는 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘온디바이스 AI 진입 장벽을 허무는 개발 솔루션’에 대해 발표하며, 온디바이스 AI의 정의, 장점, 시장 전망, 그리고 개발 환경의 변화에 대해 상세히 설명했다.
2025.10.20by 배종인 기자
“경량화는 단순히 모델을 작게 만드는 것이 아니다. 저전력 디바이스에서 실시간으로 AI를 구동하기 위해서는 연산량을 줄이고, 하드웨어에 맞게 최적화하는 복합적인 기술이 필요하다. 특히 온디바이스 AI 환경에서는 클라우드에 의존하지 않고 디바이스 자체에서 AI를 실행해야 하므로, 경량화는 선택이 아닌 필수다” 조석영 Nota AI(노타 AI) 매니저는 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘온디바이스 AI를 위한 하드웨어 인지 AI 모델 최적화 솔루션 및 성공 사례’에 대해 발표하며, 온디바이스 AI 시대 AI 모델의 경량화 기술의 중요성에 대해 밝혔다.
2025.10.20by 배종인 기자
“수 밀리와트 수준의 전력으로 AI 모델을 구동할 수 있다는 것은 MCU로 실현 가능한 어플리케이션 개발에 가장 현실적인 접근을 가능한게 한다” 문현수 STMicroelectronics 과장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘STM32N6 기반 ST Edge AI 솔루션’에 대해 발표하며, ST의 대표적인 제품군인 STM32 MCU를 기반으로, 저전력 환경에서도 인공지능 알고리즘을 구현할 수 있는 기술적 진보를 소개했다.
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2025.10.20by 배종인 기자
“AI는 데이터 중심에서 인간 중심으로, 소프트웨어 중심에서 하드웨어 중심으로 진화하고 있다. 뉴로모픽 칩과 같은 기술이 상용화되면, 인간의 뇌를 모방한 하드웨어 기반 AI가 등장할 것이며, 이는 온디바이스 AI의 새로운 전환점이 될 수 있다” 김경기 대구대학교 교수는 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘온디바이스 AI 기술 트렌드 및 미래 전망’에 대해 발표하며, AI가 클라우드에서 디바이스로 변화하고 있다며 하드웨어와 소형 모델의 중요성에 대해 강조했다.
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2025.10.14by 배종인 기자
마우저 일렉트로닉스(Mouser electronics)가 최근 발표한 ‘Optimizing Efficiency as Data Centers Shift to 48V Power’에 따르면 48V 아키텍처와 폴리머 커패시터를 중심으로 한 고효율 전력 관리 솔루션이 데이터센터의 안정성과 수익성을 동시에 확보하는 핵심 기술로 자리잡고 있는 것으로 나타났다.
2025.09.30by 배종인 기자
한국전자통신연구원(ETRI) 이형석 책임연구원은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘GaN 와이드 밴드갭 전력반도체 기술 개발 현황 및 시장 동향’에 대해 발표하며, GaN 전력 반도체의 개발 현황과 향후 전망을 심도 있게 소개했다. 이형석 연구원은 “GaN은 후발주자지만 기술적 한계를 극복하며 빠르게 발전하고 있다”며 “리모트 에피 등 차세대 기술을 통해 전력 반도체의 새로운 지평을 열 수 있을 것”이라고 전망했다.
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2025.09.30by 배종인 기자
NI-Emerson T&M 성웅용 이사는 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘고전력 반도체 다이나믹 신뢰성 테스트 솔루션’을 주제로 발표하며, 전력반도체의 신뢰성 평가 방식에 대한 새로운 접근을 제시했다. 성웅용 이사는 “전기차는 최소 10년 이상 사용되는 제품이기 때문에, 반도체의 수명을 단기간에 검증할 수 있는 가속 테스트가 필수”라며, NI는 AQG324와 JDEC의 테스트 기준을 모두 반영한 장비를 개발해 독일의 주요 자동차 및 부품 업체들과 협력하고 있으며, 다이나믹 게이트 스트레스(DGS), 다이나믹 리버스 바이어스(DRB), H3 TRB 등 다양한 테스트 항목을 통해 반도체의 수명과 성능을 정밀하게 분석하고 있다고 전했다.
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2025.09.29by 배종인 기자
텍사스 인스트루먼트(Texas Instruments, TI) 김승목 차장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘TI GaN FET으로 전력 밀도가 높고 효율적인 디지털 파워 시스템 구현하기’라는 주제로 발표하며, 전기차, 재생에너지, 고효율 전원장치 등 차세대 산업의 핵심은 전력 반도체라고 강조했다. 김승목 차장은 먼저 전력 반도체의 진화를 짚으며, “20년 전까지만 해도 IGBT가 주류였지만, SiC가 등장하면서 1,200V 이상 고전압 시스템에 적용되기 시작했다. 그러나 스위칭 주파수 측면에서는 한계가 있었다. 반면에 GaN은 600∼650V급 전압에서 12㎒까지 스위칭이 가능해 전력 밀도를 획기적으로 높일 수 있다”고 언급했다.
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2025.09.26by 배종인 기자
한국전기연구원(KERI) 차세대반도체연구센터 김형우 센터장은 지난 9월9일 개최된 ‘2025 e4ds Tech Day’ 행사에서 ‘SiC 기반 전력반도체의 국내외 기술 및 시장 동향’을 주제로 발표했다. 김형우 센터장에 따르면 실리콘 카바이드(SiC)는 와이드 밴드갭과 우수한 열전도성으로 고전압·고온·고신뢰성 전력전자 분야의 핵심 소재로 자리잡고 있다.
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