ROHM / 김주연 주임연구원
지*호2026-03-19 오전 11:19:40
[질문]Pch MOSFET 설계 시, 주요 유의 사항과 과전압에 대한 보호 방안은 무엇인지요? 발열 관리에 대한 저항 사용 범위와 게이트 드라이버 회로, 역전류 방지 다이오드에 대한 설계 방안은 어떻게 되는지요?김*열2026-03-19 오전 11:19:16
[질문] AI 데이터센터의 전력이슈에 대응하는 차원에서 Pch MOSFET의 활용도와 기대효과는? 글보벌 추세는 어떤지요?주*원2026-03-19 오전 11:19:09
유익한 강의 인것 같습니다ROHM42026.03.19
┗ 참석해 주셔서 감사합니다. 앞으로도 많은 관심 부탁드립니다!김*열2026-03-19 오전 11:15:02
재방송이 있어서 좋습니다.노*희2026-03-19 오전 11:14:21
언제나 좋은 웨비나, 자료 감사드립니다. 많은 인사이트를 얻게 되어 감사드립니다.ROHM42026.03.19
참석해 주셔서 감사합니다. 앞으로도 많은 관심 부탁드립니다!안*영2026-03-19 오전 11:13:26
고내압 Pch MOSFET에서 드레인 소스 간 누설 전류 특성은 어떻게 관리되는지 궁금합니다ROHM22026.03.19
고내압 Pch MOSFET의 누설전류는 드리프트 영역의 전계 분산 설계와 접합/표면 품질 관리로 억제됩니다박*지2026-03-19 오전 11:11:29
한 로드 스위치나 전원 차단 회로에서 인러시 전류 제어 방법이 궁금합니다 소자 손상을 방지하기 위한 보호 회로 설계 방법이 무엇인지도 궁금합니다.ROHM22026.03.19
인러시 전류 제어의 기본은 MOSFET의 turn-on slew rate를 늦춰 출력 커패시터 충전 전류를 제한하는 것이며 스위칭 손실이 증가한다는 부작용이있습니다 보호 회로 측면에서는 SOA 검토와 함께 TVS, 스너버, 게이트 보호, 역전류 차단 구조를 조합하여 소자 손상을 방지하는 방식이 일반적입니다.전*호2026-03-19 오전 11:10:24
[질문] ROHM Pch MOSFET 적용관련 이슈와 해결사례가 궁금합니다박*영2026-03-19 오전 11:08:02
열사이클이나 전기적 스트레스 테스트 기준이 어떻게 되는지요?ROHM12026.03.19
반도체 소자의 경우 JEDEC 기준으로 설계 및 Test 하고 있습니다. 상세 내용은 JEDEC 규격을 참조 부탁 드립니다.박*영2026-03-19 오전 11:06:53
병렬로 사용할 경우 전류 불균형 문제를 어떻게 해결하는지 궁금합니다 온저항 편차와 온도 특성을 고려한 설계 방법이 무엇인지도 궁금합니다.ROHM22026.03.19
병렬 사용 시에는 개별 MOSFET의 온저항 편차, 배선 저항 차이, 게이트 구동 편차, 온도 상승 차이에 의해 전류 불균형이 발생할 수 있습니다. 특히 초기 편차로 인해 특정 소자에 전류가 집중되면 해당 소자의 온도가 먼저 상승하고, 이에 따라 특성이 다시 변하면서 전류 분담이 달라질 수 있으므로 병렬 설계 시 주의가 필요합니다. 이러한 문제를 위해 듀얼타입(P+N /N+N) Mosfet이 채용되는 추세입니다[열린보도원칙] 당 매체는 독자와 취재원 등 뉴스이용자의 권리 보장을 위해 반론이나 정정보도, 추후보도를 요청할 수 있는 창구를 열어두고 있음을 알려드립니다.
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