산업기기 · 민생기기를 위한 Pch 파워 MOSFET 솔루션과 적용 사례

ROHM / 김주연 주임연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

오*배2026-03-19 오전 11:04:39
민생기기 전원 회로에서 Pch MOSFET를 사용할 때 발열 설계 기준은 어떻게 설정하는지 궁금합니다 패키지 선택과 방열 설계 시 고려해야 할 주요 요소가 무엇인지요?
ROHM12026.03.19
발열 설계 기준으로 각 Set Maker에서 관리 하는 기준이 있습니다. IC의 경우 Datasheet에 보증하고 있는 Junction Max 온도 이하가 되도록 방열 설계 되어야 합니다.
조*영2026-03-19 오전 11:04:21
1.AGV(Automated Guided Vehicle) 전원 분배에서 Pch MOSFET 기반 hot-swap 회로 구성은 어떻게 되는지요? 2.노트북 battery protection에서 Pch MOSFET을 사용하는 이유는 무엇이고 USB-C 전원 path switching에서 ideal diode 구성은 어떻게 하는지요? 3.Battery protection에서 body diode 문제 해결 방법은 무엇이고 Pch vs Nch efficiency 차이는 어느 정도인지요? 4.MOSFET avalanche rating이 필요한 경우는 언제이고 Pch MOSFET reverse current blocking 구조는 어떻게 설계하는지요?
손*수2026-03-19 오전 11:03:30
역회복 특성과 스위칭 손실에 미치는 영향 바디 다이오드 특성이 회로 동작에 미치는 영향은 어떤지 궁금합니다
ROHM22026.03.19
MOSFET의 바디 다이오드는 스위칭 전환 시 전류의 프리휠 경로가 되므로, 역회복 특성(Qrr, trr)이 스위칭 손실과 노이즈 특성에 직접 영향을 줍니다. 역회복이 큰 경우 반대측 MOSFET turn-on 시 추가 전류가 발생하여 손실, 피크 전류, EMI가 증가할 수 있습니다. 따라서 Rds(on)뿐 아니라 바디 다이오드의 역회복 특성까지 함께 검토하는 것이 중요합니다.
양*영2026-03-19 오전 11:03:09
안녕하세요 좋은정보 기대하겠습니다
주*원2026-03-19 오전 11:02:32
현재 업계 동향 및 앞으로의 발전 방향에 대해서 문의드립니다
ROHM12026.03.19
H-Side의 S/W를 Pch 로 적용하는 경우 부품 삭제에 의한 Size 감소 및 비용 감소가 발생할수 있기 때문에 Pch Chip Size 감소하면서 Ron 값을 낮추는 방향으로 발전할 것으로 생각합니다.
김*조2026-03-19 오전 11:02:14
안녕하세요 유익한정보 기대하겠습니다
박*구2026-03-19 오전 11:02:06
LVMOSFET 구조에서 채널 설계나 드리프트 영역이 온저항과 내압 특성에 미치는 영향이 궁금합니다
ROHM22026.03.19
LVMOSFET에서는 채널 설계와 드리프트 영역 설계가 각각 다른 역할을 합니다. 채널부는 셀 밀도, 채널 폭, 트렌치 구조 등에 의해 주로 ON 저항에 영향을 주며, 저내압 영역에서는 특히 이 영향이 큽니다. 반면 드리프트 영역은 항복전압 확보에 핵심적인 부분으로, 내압을 높이기 위해 길이 증가 및 저농도화가 필요하지만 그만큼 ON 저항은 증가하는 트레이드오프가 있습니다. 따라서 실제 설계는 필요한 내압을 만족하는 최소 드리프트 구조를 기반으로 채널 구조를 최적화하여 저항을 낮추는 방향으로 진행됩니다
정*동2026-03-19 오전 11:01:52
좋은 강의 감사합니다.
이*상2026-03-19 오전 11:01:17
5세대 만의 특별한 메리트가 있나요? 예를 들어 전세대 대비 낮은 rds, 가격 저감 등이요
박*차2026-03-19 오전 11:00:26
게이트 전하와 스위칭 손실 간의 관계를 어떻게 최적화하는지요?
ROHM12026.03.19
FET의 경우 전압 제어로 Vth 전압까지 빠르게 상승하도록 Slew를 조정하시면 스위칭 손실을 줄일수 있습니다만 Side Effect로 스위칭 시에 Peak 전압 발생에 의해 EMI 등에 문제가 발생할 가능성이 있습니다. 하여 실제 Set에서 충분한 평가후에 설계을 제안 드립니다.