산업기기 · 민생기기를 위한 Pch 파워 MOSFET 솔루션과 적용 사례

ROHM / 김주연 주임연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

나*엽2026-03-19 오전 11:00:00
수고하셨습니다.
최*은2026-03-19 오전 10:59:08
서지나 과도 전압 상황에서 소자를 보호하는 방법이 무엇인지요? 고전압 입력 조건에서 Pch MOSFET의 항복 전압 설계 기준은 어떻게 설정하는지 궁금합니다
ROHM22026.03.19
서지나 과도전압 상황에서는 MOSFET 단품의 내압에만 의존하기보다, TVS 다이오드·RC/RCD 스너버·게이트 보호(Zener, 게이트 저항) 및 레이아웃 최적화를 조합하여 VDS/VGS 스트레스를 억제하는 방식이 일반적입니다. 특히 모터, 배터리, High-side 스위치 용도에서는 인덕티브 kickback과 돌입전류에 대한 보호가 중요합니다.
김*숙2026-03-19 오전 10:56:47
Pch MOSFET의 게이트 구동 전압 설계 시 게이트 산화막 신뢰성과 수명은 어떻게 고려해야 하는지 궁금합니다
ROHM12026.03.19
Pch Fet등의 디스크리트의 경우 별도의 MTTF 자료 등으로 제출 드리고 있습니다.
이*현2026-03-19 오전 10:56:07
배터리 보호 회로 관점에서 Pch MOSFET 적용 사례가 궁금합니다.
ROHM22026.03.19
자료 23P 참조 부탁드립니다
최*태2026-03-19 오전 10:55:48
하이사이드 스위칭에서 Nch 대신 Pch MOSFET를 사용할 경우 전체 시스템 효율에 미치는 영향이 어느 정도인지 궁금합니다
ROHM12026.03.19
동일 Ron 기준으로 Pch이 Nch 보다 Chip가 크기 때문에 Qg닶이 커져 스위칭 Loss 가 증가할 가능성이 있습니다.
허*현2026-03-19 오전 10:55:27
설문에 문제가 좀 있네요. 해당하지 않는 내용까지 강제 입력하라고 나오네요.
이*혁2026-03-19 오전 10:55:07
P채널 스위칭 경우 스위칭 속도 낮은 문제가 있는데 5세대 경우 스위칭 속도에 대해 문의 드립니다.
ROHM22026.03.19
5세대 Pch MOSFET의 경우, 주요 개선 포인트는 미세 프로세스와 트렌치 구조 최적화를 통한 ON 저항 저감 및 대전류 대응이며, 스위칭 특성은 개별 제품의 데이터시트 상 Qg, td(on/off), tr/tf 항목으로 확인이 필요합니다.
이*혁2026-03-19 오전 10:52:35
P채널 경우 회로설계 단소화로 비용절감이 되지만 높은 온저항으로 낮은 효율이 문제가 되는데 ROHM사에서 개발한 P채널이 타사 제품 효율이 얼마나 좋은지 비교해 주시면 좋을거 같습니다.
ROHM12026.03.19
자료의 15Page 참조 부탁 드립니다.
김*수2026-03-19 오전 10:52:02
P채널 MOSFET의 낮은 ON 저항이 강조되었는데, 실제 전원 회로에서 적용시 소비전력 감소 효과를 체감할 수 있는 실사례가 궁금합니다.
ROHM22026.03.19
특히 High-side 로드 스위치나 배터리 스위치, 모터 H-bridge 상측 스위치처럼 도통 전류가 큰 용도에서는 손실이 I²R에 비례하므로, ON 저항 저감이 곧 소비전력 감소와 발열 저감으로 직결됩니다
권*식2026-03-19 오전 10:50:20
아, 넵 친절한 답변 감사드립니다