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엔비디아 GPU 26만개, ‘비싼 수입’ 안되려면 철저한 활용 계획 必
“한국에 AI 팩토리 조성, 26만개 GPU 공급”
삼성전자, 엔비디아와 AI 반도체 동맹 진화…HBM4 공급 눈앞
SK, 엔비디아와 HBM4·AI 팩토리 등 AI 생태계 확장
정재헌 SKT CEO, “국가대표 AI 사업자로서 AI 3대 강..
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  • 파워 인테그레이션스, AEC-Q101 인증 획득 차량용 오디오용 200V 다이오드 2종 선봬

    파워 인테그레이션스의 차량용 오디오 시스템용 200V 큐스피드 다이오드인 LQ10N200CQ와 LQ20N200CQ가 AEC-Q101 차량용 인증을 획득했다. 병합 PIN 기술을 사용하여 소프트 스위칭과 낮은 역 회복 전하량 간의 균형을 제공하여 EMI를 낮추고 출력 노..

    2019.09.23by 이수민 기자

  • ST, 르노-닛산-미쓰비시에 SiC 전력 디바이스 공급한다

    ST마이크로일렉트로닉스의 SiC 전력 전자 디바이스가 르노-닛산-미쓰비시가 출시할 예정인 전기차의 OBC에 채택됐다. 르노-닛산-미쓰비시는 ST의 SiC 전력 기술을 활용하여 효율적이고 컴팩트한 고전력 OBC를 구현함으로써, EV의 배터리 충전시간을 단축하고 주행거리를..

    2019.09.20by 이수민 기자

  • ​삼성전자, '죽지 않는' PCIe Gen4 SSD 19종 출시

    삼성전자가 FIP, SSD 가상화, V낸드 머신러닝 기술을 탑재한 PCIe Gen4 SSD 19종을 출시했다. 삼성전자는 3대 소프트웨어 기술을 바탕으로 8월부터 차세대 PCIe Gen4 인터페이스 기반 NVMe SSD PM1733과 PM1735 시리즈를 양산하기 시작..

    2019.09.20by 이수민 기자

  • TI, 배터리 수명 늘리는 LDO 선형 레귤레이터 공개

    더 작고 더 똑똑한 커넥티드 디바이스에 대한 수요가 증가하면서 배터리 수명에 관한 관심도 증가하고 있다. 배터리 수명을 길게 유지하기 위해선 낮은 대기 전류가 필요하다. TI TPS7A02 선형 레귤레이터는 경부하에서 초저 대기 전류 제어를 가능케 해 리튬이온과 같은 ..

    2019.09.19by 최인영 기자

  • 로옴, TO-247-4L 패키지 채택한 SiC MOSFET 출시

    로옴이 고효율이 요구되는 서버용 전원 및 태양광 인버터, 전동차의 충전 스테이션 등에 적합한 트렌치 게이트 구조의 650/1200V 내압 SiC MOSFET인 SCT3xxx xR 시리즈 6종을 출시했다. SCT3xxx xR 시리즈는 TO-247-4L 패키지를 채용했다...

    2019.09.19by 이수민 기자

  • ADI, 전력 효율 높이고 EM 배출 줄이는 IIoT용 듀얼 드라이브 능력 출력 드라이버 공개

    아나로그디바이스가 자사의 iCoupler 기술에 기반을 둔 절연형 듀얼 드라이브 능력출력 드라이버인 ADuM4122를 공개했다. ADuM4122는 설계자가 고효율 전원 스위치 기술을 활용할 수 있도록 지원한다. IEA에 따르면 전기 모터 구동 시스템은 전 세계 전기 소..

    2019.09.19by 최인영 기자

  • 온세미컨덕터, 정사각형 30만 화소 이미지 센서 공개

    온세미컨덕터가 1:1 화면비에 30만 화소의 해상도를 제공하는 ARX3A0 디지털 이미지 센서를 선보였다. ARX3A0는 최대 초당 360프레임으로 다양한 환경에서 글로벌 셔터처럼 작동하지만 크기, 성능, 감도 면에서 BSI 롤링 셔터 센서의 특성도 갖고 있다. 또 소..

    2019.09.19by 이수민 기자

  • ST, 산업용 고성능 임베디드 프로세서 시장 공략 강화

    ST마이크로일렉트로닉스가 STM32를 바탕으로 산업용 임베디드 프로세서 시장 공략을 강화한다고 밝혔다. ST의 STM32 MCU 제품군은 Arm Cortex-M 코어에 기반을 둔 1,000개 이상의 32비트 MCU로 이루어졌다. 2008년 첫 출시 후, 지금까지 누적 ..

    2019.09.18by 이수민 기자

  • 반도체 박막 증착 과정, 이제 실시간으로 확인한다

    박막은 반도체 회로 간의 구분과 연결, 보호 역할을 담당한다. 따라서 반도체 품질은 박막을 최대한 얇고 균일하게 형성할수록 향상된다. 그러나 두께가 1마이크로미터 이하로 얇기 때문에 이를 구현하는 것은 기술적 난이도가 높아 박막 형성 상태를 수시로 측정하고 확인하는 작..

    2019.09.18by 이수민 기자

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