삼성전자가 9세대 V낸드를 기반으로 JEDEC 최신 규격인 UFS 5.0을 업계 최초로 개발했다고 6월 23일 밝혔다. 순차 읽기 10.8GB/s·쓰기 9.5GB/s로 전작 대비 성능을 2배 이상 높였고, 클락 게이팅·멀티 전압 기술로 전력 효율을 40% 이상 개선했다. 패키지를 16.7% 줄여 최대 1TB까지 지원한다. 온디바이스 AI 확산으로 저장장치가 AI 연산을 뒷받침하는 핵심 요소로 부상한 데 따른 대응으로, 삼성전자는 올해 4분기 양산을 시작해 플래그십 스마트폰과 XR 헤드셋·AI 웨어러블로 공급을 확대한다.
V9 낸드 기반 읽기 10.8GB/s 구현, 전력 효율 40% 개선·최대 1TB 지원
삼성전자가 온디바이스 AI 환경에 최적화한 차세대 UFS 5.0(Universal Flash Storage) 메모리 솔루션을 통해 전작 대비 성능을 2배 이상 끌어올렸다.
삼성전자는 23일 반도체 표준화 기구 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)의 최신 내장 메모리 규격인 UFS 5.0 인터페이스를 적용한 제품을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. 회사 측은 이번 제품이 업계 최고 수준의 데이터 전송 대역폭을 갖췄다고 설명했다.
생성형 AI가 클라우드 중심에서 온디바이스 AI로 확산되면서 모바일 기기 내부에서 처리하는 데이터 규모가 늘고 있다.
이에 따라 저장장치도 단순 저장 공간을 넘어 AI 연산을 뒷받침하는 역할로 변화하고 있다는 것이 회사 측 설명이다.
UFS 5.0은 순차 읽기 10.8GB/s, 순차 쓰기 9.5GB/s를 지원한다.
기존 UFS 4.1 대비 약 2배 이상 향상된 수준으로, 대용량 데이터를 더 빠르게 저장·처리할 수 있다고 삼성전자는 밝혔다.
AI 응용 환경에서 요구되는 데이터 처리에 맞춰 데이터 처리 지연을 줄이고, 응답 속도를 높인 AI 서비스를 지원한다는 설명이다.
삼성전자는 모바일 저전력 환경에 맞춘 △클락 게이팅 △멀티 전압 등 신규 기술을 적용해 전력 효율을 전작 대비 40% 이상 개선했다고 밝혔다.
클락 게이팅은 사용하지 않는 회로의 동작 신호를 차단하는 기술이며, 멀티 전압은 회로별 최적 전압을 적용해 소비전력과 발열을 줄이는 기술이다.
이를 통해 같은 양의 데이터를 전송할 때 소모되는 전력을 낮춰 배터리 사용 시간을 늘렸다고 회사 측은 전했다.
또한 가로 7.5mm, 세로 13mm, 높이 0.9mm로 전작 대비 16.7% 작아진 패키지를 구현해 △모바일 △웨어러블 △XR(eXtended Reality) 기기의 설계 유연성을 높였으며, 최대 1TB 용량까지 제공할 계획이다.
최장석 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장 상무는 “온디바이스 AI 시대에는 저장장치가 단순한 데이터 저장 공간을 넘어 AI 경험을 결정하는 핵심 요소로 자리잡고 있다”며 “업계 최초 UFS 5.0 개발 완료를 통해 차세대 모바일 스토리지의 기준을 제시하겠다”고 밝혔다.
삼성전자는 올해 4분기부터 UFS 5.0 양산을 시작하며, 향후 플래그십 스마트폰과 XR 헤드셋, AI 웨어러블 등 차세대 기기 시장에 맞춰 공급을 확대할 방침이다.