ST마이크로일렉트로닉스가 2세대 MasterGaN 하프 브리지 전력 IC ‘MasterGaN6’을 출시했다. 이 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 지원하는 GaN 전력 트랜지스터와 업데이트된 BCD 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 것이 특징이다. 스탠바이와 결함 표시를 위한 전용 핀, 보호 기능, 외부 부품 절감 설계를 바탕으로 충전기·어댑터, 산업용 조명 전원공급장치, 태양광 마이크로 인버터 등에서 활용할 수 있도록 설계됐다. ST는 평가 보드와 설계 지원 도구도 함께 제공해 제품 검토와 개발 편의성을 높인다는 계획이다.
GaN 전력 소자·드라이버 통합, 고주파 설계 지원
ST마이크로일렉트로닉스가 질화갈륨(GaN) 기반 전력 반도체 제품군을 확대하며 소형·고효율 전원 설계 수요 대응에 나섰다. 새로 선보인 ‘MasterGaN6’은 전력 소자와 드라이버를 한 패키지에 담은 하프 브리지 전력 IC로, 소비자용 충전기부터 산업용 전원장치, 태양광 전력 변환 장치까지 겨냥한 제품이다.
ST는 18일 MasterGaN 제품군의 2세대 솔루션인 MasterGaN6 출시를 발표했다. 이번 제품은 140mΩ의 RDS(on)을 제공하는 고성능 GaN 전력 트랜지스터와 개선된 BCD 드라이버를 결합한 전력 SiP(System-in-Package)다.
기술적으로는 높은 집적도를 바탕으로 시스템 제어 기능을 강화한 점이 눈에 띈다. MasterGaN6에는 결함 표시와 스탠바이 기능을 위한 전용 핀이 추가됐고, LDO와 부트스트랩 다이오드도 함께 통합됐다. 이에 따라 외부 부품 수를 줄이면서도 구동 성능을 확보할 수 있도록 했다. 짧은 최소 온타임과 전파 지연 시간, 빠른 웨이크업 특성을 갖춘 드라이버는 고주파 동작에 적합하도록 설계돼 회로 면적 축소에도 도움을 준다.
보호 기능도 포함됐다. 교차 전도 방지, 과열 차단, 저전압 차단 기능을 내장해 회로 안정성을 높였고, 저부하 구간에서는 버스트 모드 동작 효율 개선도 기대할 수 있다. ST는 이를 통해 엔지니어들이 부품원가를 낮추고 PCB 크기를 줄이는 데 도움을 받을 수 있다고 설명했다.
적용 분야는 비교적 분명하다. MasterGaN6은 최대 10A 전류를 처리할 수 있으며, 충전기·어댑터, 산업용 조명 전원공급장치, DC-AC 태양광 마이크로 인버터 등에 적합하도록 설계됐다. 또한 액티브 클램프 플라이백, 공진형 LLC, 역벅 컨버터, 역률 보정 회로 등 다양한 전력 변환 토폴로지에 적용할 수 있다.
이번 제품 출시는 GaN 전력 반도체가 고효율·소형 전원 시장에서 본격적으로 활용 범위를 넓혀가는 흐름과도 맞닿아 있다. ST는 설계자 지원을 위해 EVLMG6 평가 보드와 eDesignSuite PCB 열 시뮬레이터용 모델도 함께 제공한다. MasterGaN6은 9mm x 9mm QFN 패키지로 생산되며, 1000개 주문 기준 가격은 개당 4.14달러부터다.